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非破壞性方式在晶片或器件內進行成像


WDI設計并制造了自動紅外激光共聚焦顯微鏡 (IRLC)。

IRLC可以對硅晶片的表面之下和內部進行檢查, 使其內部結構以亞微米分辨率呈現。



激光共聚焦顯微鏡多層檢測


由近紅外激光和掃描共聚焦組合而成的IRLC有著諸多優勢。首先便是具備了對薄晶片的多層高分辨率圖像的采集能力;同時,IRLC具備更深的樣品穿透能力、更高的分辨率和更快的圖像采集速度;


近紅外優化光路


系統包含了全套Olympus近紅外長工作距離物鏡。這組物鏡專為硅晶圓的內部結構檢測而設計,采用優化的近紅外光學系統,并配備專用的校正環以適應不同后面的硅片或玻璃表面。


一鍵雙視野


IRLC包含一組可見光彩色成像系統和一組近紅外共聚焦系統。這種搭配可對樣品表面和底層(*深達800μm)同時成像。

由于采用了ATF6/0AA/ZAA技術(即實時快速自動聚焦技術),IRLC實現了真正意義上的實時聚焦-不管觀察方式和樣品表面狀況如何變化,視野內持續聚焦狀態。


簡潔的軟件界面


功能完善、操作簡單,直觀的軟件界面設計旨在提高工作效率,簡化檢測流程?;静倏毓δ馨▽φ彰?、放大倍率、XYZ控制以及對焦補償的參數調整。 載物臺移動可通過軟件操控、手柄操控、或者簡單地點擊實時畫面來完成。


高 級功能


線性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 測量及高 級圖像采集選項可實現均幀、AveragedImage、Z軸序列采集、以及在兩點間圖像序列采集。



自動檢測


集成了全電動控制和自動聚焦的IRLC,配合全自動軟件可實現全自動檢測流程,并可在同**程內對多個樣品進行檢測。


CIS(CMOS成像芯片)


很多CIS模塊已經在像素上方加裝了保護面板和彩色濾光片,給檢測帶來很多困難。使用IRLC即可輕松看到表面之下的結構特征。

5X BF (Front)

5X IRLC (Front)

20X IRLC (Front)

50X IRLC (Front)

100X IRLC (Front)

 


高摻雜半導體


從正面穿透金屬基板觀察是不可能實現的;使用IRLC從背面穿透300μm高摻雜硅可清晰觀察到該區域下的內部結構。

10XBF (Front)

20XIRLC (Back)

50XIRLC (Back)

100XIRLC (Back)


低摻雜半導體


使用IRLC從背面穿透800μm低摻雜硅,刻蝕圖案清晰可見。

        

5X BF (Front)

20XIRLC (Back)

50X IRLC (Back)

100X RLC (Back)


MEMS器件 


僅使用明場觀察,表面細節清晰可見;使用IRLC,表面之下的MEMs結構清晰可見。

5X BF (Front)

5X IRLC (Front)

10XIRLC (Front)

20XIRLC (Front)


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