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超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 SU9000

專門為電子束敏感樣品和需*大300萬倍穩定觀察的先進半導體器件,高分辨成像所設計。


特點

· 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
  0.4 nm / 30 kV (SE)
  1.2 nm / 1 kV (SE)
  0.34 nm / 30 kV (STEM)
· 用改良的高真空性能和無 與倫比的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。
· 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

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